三星电子公布2纳米芯片量产路线图，将于2027年量产1.4纳米芯片

　　三星电子公司周三表示，已公布了其2纳米制程芯片量产的详细计划。这表明该公司对其技术实力充满信心，并将继续在代工业务上加倍下注。

　　当地时间周二，三星电子在美国加州圣何塞举行的“三星代工论坛”（SFF）上分享了上述计划。数百名三星代工业务客户和合作伙伴参加了该论坛，分享了最新的技术趋势。

　　根据该计划，三星电子将分别于2025年、2026年、2027年开始批量生产用于移动应用、高性能计算和汽车的2nm芯片。

　　三星表示，与3纳米工艺相比，2纳米芯片的性能提高了12%，功率效率提高了25%，面积减少了5%。

　　作为全球最大的存储芯片制造商和第二大代工企业，三星电子还表示，将按计划于2027年开始量产1.4纳米芯片。

　　去年6月，三星电子开始量产采用GAA （全环绕栅极）技术的3纳米芯片。当时，三星已经表示其2纳米工艺节点处于早期开发阶段，计划于2025年量产。

　　但在周二的SFF论坛上，三星首次公布了2纳米及以下节点的详细路线图。